ASTM F 66-1984 微电子器件制造用光敏抗蚀剂的试验方法
作者:标准资料网 时间:2024-05-22 05:34:10 浏览:8679
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【英文标准名称】:TestMethodsforTestingPhotoresistsUsedinMicroelectronicFabrications
【原文标准名称】:微电子器件制造用光敏抗蚀剂的试验方法
【标准号】:ASTMF66-1984
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:1984
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:电子工程;光导电池;微电子学;生产;试验
【英文主题词】:electronicengineering;microelectronics;testing;production;photoconductivecells
【摘要】:
【中国标准分类号】:L04
【国际标准分类号】:87_040
【页数】:9P;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:微电子器件制造用光敏抗蚀剂的试验方法
【标准号】:ASTMF66-1984
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:1984
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:电子工程;光导电池;微电子学;生产;试验
【英文主题词】:electronicengineering;microelectronics;testing;production;photoconductivecells
【摘要】:
【中国标准分类号】:L04
【国际标准分类号】:87_040
【页数】:9P;A4
【正文语种】:英语
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